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    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)

    阈值电压:1.45V @ 250µA

    栅极电荷:53.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683 pF @ 15 V

    连续漏极电流:14.1A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)

    栅极电荷:53.7 nC @ 10 V

    导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.1A(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    漏源电压:24V

    输入电容:1683 pF @ 15 V

    阈值电压:1.45V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3017SFG-13

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:940mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:41 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246 pF @ 15 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:10 毫欧 @ 11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:10.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424 pF @ 50 V

    连续漏极电流:1.3A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:350 毫欧 @ 1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订300000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订300000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76 pF @ 16 V

    连续漏极电流:460mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306 pF @ 30 V

    功率:2.7W(Ta),139W(Tc)

    栅极电荷:130.6 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V

    连续漏极电流:215A(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306 pF @ 30 V

    功率:2.7W(Ta),139W(Tc)

    栅极电荷:130.6 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V

    连续漏极电流:215A(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138TA 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138TA 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138TA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:50V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 通道

    输入电容:50 pF @ 10 V

    导通电阻:3.5 欧姆 @ 220mA,10V

    功率:300mW(Ta)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:200mA(Ta)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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