品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V
输入电容:64 pF @ 25 V
连续漏极电流:320mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
阈值电压:1.45V @ 250µA
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683 pF @ 15 V
连续漏极电流:14.1A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
漏源电压:24V
输入电容:1683 pF @ 15 V
阈值电压:1.45V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:2.4V @ 1mA
输入电容:75 pF @ 18 V
连续漏极电流:450mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.18W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:25.1 nC @ 10 V
输入电容:1415 pF @ 15 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:16 nC @ 10 V
输入电容:825 pF @ 30 V
连续漏极电流:4.3A(Ta),10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:69 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:280mW
阈值电压:1.2V @ 250µA
输入电容:39pF @ 3V
连续漏极电流:400mA
类型:2 N 沟道(双)共源
导通电阻:1.2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:3.8nC @ 4.5V
输入电容:279pF @ 10V
连续漏极电流:1.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-13
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:940mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246 pF @ 15 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:10 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:7.7 nC @ 10 V
输入电容:281 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:42 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.18W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:25.1 nC @ 10 V
输入电容:1415 pF @ 15 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta),920mW(Tc)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:0.8 nC @ 10 V
输入电容:40 pF @ 10 V
连续漏极电流:500mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 欧姆 @ 220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: