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    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V

    输入电容:64 pF @ 25 V

    连续漏极电流:320mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V

    输入电容:59.76 pF @ 16 V

    连续漏极电流:460mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)

    阈值电压:1.45V @ 250µA

    栅极电荷:53.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683 pF @ 15 V

    连续漏极电流:14.1A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT2004UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7

    功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)

    栅极电荷:53.7 nC @ 10 V

    导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.1A(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    漏源电压:24V

    输入电容:1683 pF @ 15 V

    阈值电压:1.45V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106ASTZ 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106ASTZ 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW(Ta)

    阈值电压:2.4V @ 1mA

    输入电容:75 pF @ 18 V

    连续漏极电流:450mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 欧姆 @ 1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数1999个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数1999个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数299个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数299个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数1500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数1500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LPS-13 起订数1250个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LPS-13 起订数1250个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.18W(Ta)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:25.1 nC @ 10 V

    输入电容:1415 pF @ 15 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:17.4nC @ 10V

    输入电容:751pF @ 10V

    连续漏极电流:9.4A,6.8A

    类型:N 和 P 沟道,共漏

    导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SE-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SE-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:825 pF @ 30 V

    连续漏极电流:4.3A(Ta),10A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:69 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数999个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数999个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:17.4nC @ 10V

    输入电容:751pF @ 10V

    连续漏极电流:9.4A,6.8A

    类型:N 和 P 沟道,共漏

    导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    输入电容:39pF @ 3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2 N 沟道(双)共源

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数3999个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数3999个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:3.8nC @ 4.5V

    输入电容:279pF @ 10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3017SFG-13

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:940mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:41 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246 pF @ 15 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:10 毫欧 @ 11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数499个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数499个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-13 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-13 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    栅极电荷:7.7 nC @ 10 V

    输入电容:281 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:42 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LPS-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LPS-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.18W(Ta)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:25.1 nC @ 10 V

    输入电容:1415 pF @ 15 V

    连续漏极电流:10.8A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数99个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订数99个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12.3 nC @ 10 V

    输入电容:606 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW(Ta),920mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:0.8 nC @ 10 V

    输入电容:40 pF @ 10 V

    连续漏极电流:500mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.8 欧姆 @ 220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数3000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:1.3 nC @ 10 V

    输入电容:51 pF @ 15 V

    连续漏极电流:400mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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