采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.18W（Ta）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：25.1 nC @ 10 V
输入电容：1415 pF @ 15 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.7W
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：17.4nC @ 10V
输入电容：751pF @ 10V
连续漏极电流：9.4A，6.8A
类型：N 和 P 沟道，共漏
导通电阻：21 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.7W
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：17.4nC @ 10V
输入电容：751pF @ 10V
连续漏极电流：9.4A，6.8A
类型：N 和 P 沟道，共漏
导通电阻：21 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：280mW
阈值电压：1.2V @ 250µA
输入电容：39pF @ 3V
连续漏极电流：400mA
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：1.2 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-13
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：940mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246 pF @ 15 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.18W（Ta）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：25.1 nC @ 10 V
输入电容：1415 pF @ 15 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.7W
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：17.4nC @ 10V
输入电容：751pF @ 10V
连续漏极电流：9.4A，6.8A
类型：N 和 P 沟道，共漏
导通电阻：21 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.7W
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：17.4nC @ 10V
输入电容：751pF @ 10V
连续漏极电流：9.4A，6.8A
类型：N 和 P 沟道，共漏
导通电阻：21 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.18W（Ta）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：25.1 nC @ 10 V
输入电容：1415 pF @ 15 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
导通电阻：21 毫欧 @ 7A，10V
栅极电荷：17.4nC @ 10V
输入电容：751pF @ 10V
连续漏极电流：9.4A，6.8A
类型：N 和 P 沟道，共漏
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：2.1V @ 250µA
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
