品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta),920mW(Tc)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:0.8 nC @ 10 V
输入电容:40 pF @ 10 V
连续漏极电流:500mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 欧姆 @ 220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:610mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:11.6 nC @ 4.5 V
输入电容:1149 pF @ 10 V
连续漏极电流:6.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.5V @ 250µA
类型:N 通道
输入电容:50 pF @ 10 V
导通电阻:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
功率:300mW(Ta)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:200mA(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存: