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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2LDVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.34W€14.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：891pF@20V
连续漏极电流：11.9A€30.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2LDVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.34W€14.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：891pF@20V
连续漏极电流：11.9A€30.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2LDVQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.34W€14.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：891pF@20V
连续漏极电流：11.9A€30.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2LDVQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.34W€14.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：891pF@20V
连续漏极电流：11.9A€30.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2LDVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.34W€14.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：891pF@20V
连续漏极电流：11.9A€30.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
