品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.2A€6.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.2A€6.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.2A€6.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: