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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
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功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
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功率：470mW
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
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功率：470mW
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
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输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
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功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
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功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
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功率：1.4W
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输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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功率：470mW
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连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
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连续漏极电流：410mA
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
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栅极电荷：47.5nC@10V
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输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
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功率：470mW
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输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
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连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
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栅极电荷：2.8nC@10V
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连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
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功率：470mW
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连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：80pF@40V
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@250µA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
功率：470mW
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类型：N沟道
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功率：470mW
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类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
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