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    品牌: DIODES
    ECCN: EAR99
    功率: 300mW
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES 数字晶体管 DCX115EK-7-F 起订4个装
    DIODES 数字晶体管 DCX115EK-7-F 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):82@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-13-F 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-13-F 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84Q-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 MMBTA28-7-F 起订500个装
    DIODES 达林顿管 MMBTA28-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBTA28-7-F

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:300mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 MMBTA64-7-F 起订20个装
    DIODES 达林顿管 MMBTA64-7-F 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBTA64-7-F

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:300mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-7-F 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-7-F 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS870Q-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS870Q-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS870Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC21D1UDA-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC21D1UDA-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V

    连续漏极电流:455mA€328mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 MMBTA13-7-F 起订100个装
    DIODES 达林顿管 MMBTA13-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBTA13-7-F

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):300mA

    功率:300mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 MMBTA14-7-F 起订100个装
    DIODES 达林顿管 MMBTA14-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBTA14-7-F

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):300mA

    功率:300mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS870-7-F 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS870-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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