销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):82@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA28-7-F
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V
连续漏极电流:455mA€328mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA13-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: