品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
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连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
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连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
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ECCN:EAR99
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
功率:3W
输入电容:2592pF@50V
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
功率:3W
导通电阻:330mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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