品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
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输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
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类型:1个N沟道
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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功率:2W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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功率:2W
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功率:2W
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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