品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: