采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：470mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
功率：450mW
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
功率：450mW
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
