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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040LTS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040LTS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040LTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@10V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2012SN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178.5pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDMQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDMQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LDMQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2078LCA3-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:7.63A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP56D0UFB-7B 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP56D0UFB-7B 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:425mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.58nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50.54pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:6Ω@100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UFCL-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UFCL-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:200mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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