品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2012SN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178.5pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LDMQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2037U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:803pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: