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    品牌: DIODES
    阈值电压: 4V@250µA
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

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    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8474pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

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    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

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    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8474pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€125W

    阈值电压:4V@250µA

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    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

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    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:130A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    输入电容:1942pF@50V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.8W

    栅极电荷:31.9nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4005SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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