品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LK4-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:9.4A€6.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LK4-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:9.4A€6.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP58D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH3010LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6807pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: