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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
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功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
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功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
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功率：800mW
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
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功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
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功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
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功率：800mW
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类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
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功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
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输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
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功率：800mW
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栅极电荷：2nC@10V
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
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功率：500mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
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功率：500mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
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