品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.5V @ 250µA
类型:N 通道
输入电容:50 pF @ 10 V
导通电阻:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
功率:300mW(Ta)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:200mA(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存: