采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005LCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：187W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3688pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8474pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8474pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005LCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：187W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3688pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€139W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
输入电容：1942pF@50V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
导通电阻：28mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.8W
栅极电荷：31.9nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€139W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
