品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:187W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3688pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):S8M02600B
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.8V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):6mA
浪涌电流(Itsm):80A
工作温度:-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:37.2A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:187W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3688pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010LCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:128ns
反向恢复时间:150ns
关断损耗:86µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:61nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,15A
导通损耗:270µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1940pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M5LH3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€96W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.406nF@30V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存: