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    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:187W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3688pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订5个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8474pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订100个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订10个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 晶闸管 S8M02600B 起订100个装
    DIODES 晶闸管 S8M02600B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    销售单位:

    规格型号(MPN):S8M02600B

    断态峰值电压(Vdrm):600V

    通态峰值电压(Vtm):1.8V

    ECCN:EAR99

    保持电流(Ih):6mA

    浪涌电流(Itsm):80A

    工作温度:-40℃~110℃

    通态RMS电流(It(rms)):8A

    门极触发电流(Igt):200µA

    包装方式:管件

    门极触发电压(Vgt):1V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HJ3 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HJ3 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:547pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订10个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8474pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:187W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3688pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010LCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010LCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010LCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:108A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装
    DIODES IGBT DGTD65T15H2TF 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DGTD65T15H2TF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:128ns

    反向恢复时间:150ns

    关断损耗:86µJ

    开启延迟时间:19ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:61nC

    类型:场截止

    集电极电流(Ic):2V@15V,15A

    导通损耗:270µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M5LH3 起订525个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M5LH3 起订525个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M5LH3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€96W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.406nF@30V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HJ3 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HJ3 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:547pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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