品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:187W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3688pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:37.2A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005LCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:187W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3688pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010LCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2592pF@50V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1940pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:130A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€139W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN95H8D5HCTI
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
输入电容:1942pF@50V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:60A
导通电阻:28mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.8W
栅极电荷:31.9nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€83.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:74.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: