包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：850mW

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：25.3nC@10V

输入电容：1.201nF@20V

连续漏极电流：8.6A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：850mW

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：25.3nC@10V

输入电容：1.201nF@20V

连续漏极电流：8.6A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：1.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：5.8A

类型：2个P沟道

导通电阻：25mΩ@3A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：1.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：5.8A

类型：2个P沟道

导通电阻：25mΩ@3A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：1.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：5.8A

类型：2个P沟道

导通电阻：25mΩ@3A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V

栅极电荷：17.1nC

连续漏极电流：11.8A

类型：MOSFET

导通电阻：9.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V

栅极电荷：17.1nC

连续漏极电流：11.8A

类型：MOSFET

导通电阻：9.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V

栅极电荷：17.1nC

连续漏极电流：11.8A

类型：MOSFET

导通电阻：9.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：1.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：5.8A

类型：2个P沟道

导通电阻：25mΩ@3A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V

栅极电荷：17.1nC

连续漏极电流：11.8A

类型：MOSFET

导通电阻：9.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：800mW

阈值电压：3V

栅极电荷：17.1nC

连续漏极电流：11.8A

类型：MOSFET

导通电阻：9.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：15.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：833pF@20V

连续漏极电流：2.9A

类型：1个P沟道

导通电阻：80mΩ@4A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：1.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：33.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：5.8A

类型：2个P沟道

导通电阻：25mΩ@3A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：26.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.007nF@20V

连续漏极电流：6.4A

类型：1个P沟道

导通电阻：60mΩ@10V，3.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT4003SCT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2V

栅极电荷：75.6nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：205A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：27.1W€2.67W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：12.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：897pF@20V

连续漏极电流：49.1A€15.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1