采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：47.5nC@5V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：14A€35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，9.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：47.5nC@5V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：14A€35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，9.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：51mΩ@10V，12A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.1nC@20V
输入电容：1.06nF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：24mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
