品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27.1W€2.67W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:49.1A€15.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: