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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27.1W€2.67W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：49.1A€15.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
