采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
