品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:47.5nC@5V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,9.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:47.5nC@5V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,9.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:51mΩ@10V,12A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:51mΩ@10V,12A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: