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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：7.7 nC @ 10 V
输入电容：281 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：42 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：610mW（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：11.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1149 pF @ 10 V
连续漏极电流：6.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
