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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：58mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2301B-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：834pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：872pF@10V
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.1A
输入电容：218pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：6.6nC@4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：872pF@10V
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：872pF@10V
类型：N沟道
栅极电荷：11nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.2A
输入电容：143pF@10V
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：555pF@10V
漏源电压：20V
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.5V@250A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.2A
输入电容：4748pF@10V
栅极电荷：113nC@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
输入电容：647pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.1A
输入电容：218pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：834pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：6.6nC@4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
输入电容：647pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.2A
输入电容：143pF@10V
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
