品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G-ES
功率:350mW
阈值电压:1.6V
栅极电荷:1.8nC
输入电容:28pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF
导通电阻:1.85Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G-ES
功率:350mW
阈值电压:1.6V
栅极电荷:1.8nC
输入电容:28pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF
导通电阻:1.85Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G-ES
功率:350mW
阈值电压:1.6V
栅极电荷:1.8nC
输入电容:28pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF
导通电阻:1.85Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G-ES
功率:350mW
阈值电压:1.6V
栅极电荷:1.8nC
输入电容:28pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF
导通电阻:1.85Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G-ES
功率:350mW
阈值电压:1.6V
栅极电荷:1.8nC
输入电容:28pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF
导通电阻:1.85Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: