品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: