品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
输入电容:424pF@5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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