品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:3.8nC @ 4.5V
输入电容:279pF @ 10V
连续漏极电流:1.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2088DE6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:279pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2088DE6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:279pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: