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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
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功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41.9nC@10V
输入电容：2.026nF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
