品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:635pF@40V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.1A
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,4.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,4.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:26.1nC@10V
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@10V,4.4A
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:29.6nC@10V
输入电容:1.022nF@15V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:44nC@8V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@4.5V,5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:44nC@8V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@4.5V,5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.022nF@15V
连续漏极电流:5.4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
类型:1个P沟道
栅极电荷:29.6nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: