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    品牌: DIODES
    功率: 2W
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1000psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    阈值电压:3V

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    导通电阻:40mΩ

    功率:2W

    类型:MOSFET

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@10V,4.4A

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.007nF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10V,1.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14Ω@10V,200mA

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106GTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:100pF@18V

    功率:2W

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    导通电阻:10Ω@5V,250mA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:320mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:85pF@25V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1.5V@1mA

    功率:2W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106GTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:100pF@18V

    功率:2W

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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