采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：1个N沟道
导通电阻：50Ω@10V，100mA
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，4.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT705TA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：160MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT705TA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：160MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
阈值电压：3V
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ
功率：2W
类型：MOSFET
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29.6nC@10V
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
