采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29.6nC@10V
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26.9nC@10V
输入电容：1.055nF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4525GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：3.45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：265mA
类型：1个P沟道
导通电阻：14Ω@10V，200mA
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
类型：1个P沟道
栅极电荷：29.6nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
