品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,2.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:53.1nC@10V
输入电容:2.569nF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,2.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: