采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29.6nC@10V
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
类型：1个P沟道
栅极电荷：29.6nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
