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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.7nC@10V
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：6A€4.2A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.1nC@20V
输入电容：1.06nF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：24mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.7nC@10V
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：6A€4.2A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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