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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
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栅极电荷：2.9nC@10V
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连续漏极电流：1A
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导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
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栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
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阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
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连续漏极电流：9.2A
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栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
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