采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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