品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:11.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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类型:P沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:11.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
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类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
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输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: