品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:11.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:21A€75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2107pF@30V
连续漏极电流:28.9A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2107pF@30V
连续漏极电流:28.9A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2107pF@30V
连续漏极电流:28.9A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@25V
连续漏极电流:2A€7.1A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: