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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2107pF@30V

    连续漏极电流:28.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2107pF@30V

    连续漏极电流:28.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT68M8LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2107pF@30V

    连续漏极电流:28.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@25V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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