采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
