采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2991UDJ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@15V€17pF@16V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
