采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：930pC@10V
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：930pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：270mA
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：87pF@25V
功率：380mW
栅极电荷：1.8nC@10V
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：380mW
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
栅极电荷：0.93nC@10V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：380mW
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
栅极电荷：930pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
