品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@10V,3.1mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:1.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: