品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.6nC@8V
输入电容:2.426nF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.6nC@8V
输入电容:2.426nF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: